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据外媒报道,经过50年的发展,半导体市场仍然显得非常活跃,它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺,这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因。 三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍,提高至260亿美元。相对而言,英特尔在2017年的资本支出预算仅为120亿美元,较2016年增长了25%。事实上,三星的预算约为2017年三家大公司英特尔、台积电和SK海力士的资本支出预算的总和。 三星的主要竞争对手现在面临着一个艰难的抉择。它们要
据悉,在经过为期一年半的价格暴涨之后,部分存储芯片的价格突然急速下滑,之后三星电子发布了一份并不乐观的2017年业绩预期,这两件事情让那些押注芯片行业的投资人陷入了深深的不安,一些投资人曾经认为芯片行业的红火至少还将持续一年半的时间。 此前有新闻指出,被广泛用在智能手机上的闪存芯片的价格在2017年第四季度出现了下跌,跌幅将近5%左右。伴随着这样的消息,一些分析人士预期今年存储芯片的市场增幅只能达到30%,较去年下降一半以上。 受此消息影响,上周三星电子的股票价格暴跌7.5%,另外三星的竞争对
今年以来,Flash闪存供应充足,SSD的价格从去年的高位被“打回原形”,消费者终于可以慢慢挑选了。 据Chosun Ilbo报道,韩国产业链的消息人士透露,三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元,2019年更是会提高到90亿美元。 这些投入首先是用于提高3D闪存的产能,包括位于平泽市和中国西安市的工厂,其次是先进技术。本周,三星宣布量产第五代3D V-NAND闪存,采用96层堆叠、单Die 32GB容量,领先竞争对手两年的时间。 IC Insights分析指出,三
集微网消息(文/小北)今天,英特尔与美光针对双方在3D Xpoint上的合作做出了联合声明,双方将继续合作推进第二代3D Xpoint存储技术的研发,预计于2019年上半年完成,并在Lehi工厂制造。同时,在第二代3D Xpoint存储技术之后,双方将追求独立发展,以便针对各自的产品和业务需求进行技术的优化。 这份声明意味着:就3D Xpoint合作关系,英特尔与美光将在2019年正式分手。 此外,今年1月份英特尔与美光共同宣布,在完成第三代3D NAND Flash研发后,双方将开启各自的研
东芝认为其3D NAND BiCS在非挥发性存储器产品成为市场主流前,仍有很多创新研发空间。法新社 在日前于美国加州举行的2018年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上,可见全球各主要NAND Flash制造商揭橥各自对下世代产品及架构的产品规划蓝图,一如预期,英特尔(Intel)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)及东芝(Toshiba)已在谈论QLC 3D NAND技术、发布96层3D NAND,并概述延伸至128层以上以进一步提升密度的NAND
近日,在2019中国闪存峰会期间,兆易创新代理总经理何卫表示,悲观对待公司第三季度的生长,目先兆易确实感遭到NOR Flash需求的上升,以至呈现产能慌张的状况。我们看到,近年来,兆易创新构成了MCU+存储+传感器的产品线生态,特别存储的规划曾经从NOR Flash、NAND Flash逐步延伸至DRAM。何卫以为这是面对终端应用需求的必然。 NOR Flash接单旺盛 NOR Flash做为通用型器件应用普遍,兆易创新重点专注6大应用范畴,产种类类多样,例如宽电压、低功耗、高性能、大容量以及
存储器控制芯片厂群联与存储器模组厂威刚分歧看好第4季贮存型快闪存储器(NAND Flash)市况,预期可望维持正向到年底。 随着动态随机存取存储器(DRAM)与NAND Flash价钱双双落底,市场买气明显回温,威刚第3季营收攀高至新台币64.93亿元,也较第2季增加16.5%。 瞻望将来,群联表示,因应年底销售旺季及美国关税问题,系统厂10月起将展开新一波补货潮,预期NANDFlash需求及价钱将一路维持涨势到年底,对第4季营运瞻望正向。 威刚也指出,材料中心库存已回复正常,需求可望逐渐回温
2019年的10月1日,闪存巨头东芝存储公司将公司称号更名为 Kioxia Corp. 。作为不依赖东芝品牌的闪存和应用产品的专业供给商,旗下业务开端了一段新旅程。 出卖东芝记忆体比原方案落后一年多 东芝存储器于2017年4月1日经过拆分闪存业务开端作为东芝的全资子公司而存在。分拆的目的,旨在经过出卖闪存业务来改善东芝本身的财务情况。最初,该买卖方案最迟于2018年3月31日完成。但是众所周知,这种希冀将大大延迟。 随着东芝存储器的推出,闪存业务合资企业Western Digital(以下简称
存储器厂旺宏将于周四(24日)召开法说,发布第3季财报,市场除关注第4季及明年营运瞻望,由于第3季大客户拉货动能强劲,旺宏库存去化水平、毛利率表现将受瞩,NAND与NOR Flash需求表现、及19纳米SLC NAND出货状况也将成为焦点。 旺宏第3季适逢传统营运旺季,由于大客户推出新机种,随着市场需求提升,带动ROM拉货动能优于预期,且各产品线动能均相当强劲,第3季营收季增幅更达近6成,并胜利创高。 旺宏第2季存货金额188.67亿元,较第1季的184.75亿元(新台币,下同)小幅生长,其中
  据经济日报报道,周三(6月30日)美国最大记忆芯片厂美光(Micron)公布的本季财测高于市场预期,显示计算机与手机的资料储存半导体需求强健。美光先前预告过的出售犹他州芯片厂给德州仪器一案,将为公司带进9亿美元现金。   美光估NAND、DRAM供应吃紧至明年   美光估计本季(6月到8月)营收约82亿美元,高于分析师预期的78.5亿美元;剔除特定项目调整后的每股盈余约2.3美元,分析师预期为2.17美元。美光表示,本季毛利率将在46%上下1个百分点,符合市场预期的46%。   财报公布后